安全GaN FET加持 圖騰柱無橋PFC超越鈦金級效率

2016 年 07 月 14 日
氮化鎵(GaN)技術由於出色的開關特性和不斷提升的品質,近期來逐漸得到電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN FET可實現更高的開關頻率,效率更超越鈦金級門檻要求,從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

電源:LED與Flashlamp的優劣比較 照相手機閃光照明的解決方案

2005 年 06 月 02 日

OCC新技術結合CCM與DCM的優點 簡化功率因素校正的應用設計

2005 年 07 月 13 日

突破顯示器設計瓶頸 FPGA介面整合力大增

2007 年 09 月 11 日

導入直觀式智慧型消費設備使用者體驗 工業控制應用操作更輕鬆

2010 年 09 月 27 日

手機音訊路徑日益複雜化 音訊中樞概念乘勢崛起

2010 年 10 月 11 日

耦合電感助ADAS突破瓶頸 提升系統速度與效率(1)

2024 年 12 月 13 日
前一篇
硬體/軟體/雲端三合一 司亞樂全力進攻物聯網市場
下一篇
高/低頻量測面臨新難題 國家儀器VST 2.0一手搞定