安全GaN FET加持 圖騰柱無橋PFC超越鈦金級效率

2016 年 07 月 14 日
氮化鎵(GaN)技術由於出色的開關特性和不斷提升的品質,近期來逐漸得到電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN FET可實現更高的開關頻率,效率更超越鈦金級門檻要求,從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

同步式降壓轉換器中 Cdv/dt 感應導通的測量與分析

2004 年 10 月 01 日

釐清操作原理 架構精簡電流模式

2007 年 07 月 26 日

強化通訊協定/電源管理 USB 3.0精益求精

2010 年 08 月 30 日

NVMe SSD效能/耗電/成本全面改善  伺服器運作更快更穩

2017 年 10 月 23 日

推動WBG元件應用普及 故障分析能力至為關鍵(1)

2023 年 05 月 02 日

雲端運算助力工程模擬(1)

2023 年 05 月 09 日
前一篇
硬體/軟體/雲端三合一 司亞樂全力進攻物聯網市場
下一篇
高/低頻量測面臨新難題 國家儀器VST 2.0一手搞定